半導(dǎo)體學(xué)報(bào)基礎(chǔ)信息：

《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》是由中國電子學(xué)會(huì)主辦，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所承辦的學(xué)術(shù)刊物，報(bào)道半導(dǎo)體物理學(xué)和半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)最新的科研成果和技術(shù)進(jìn)展，被EI、CA、SA等收錄，在中國科學(xué)院、國家科委、中共中央宣傳部和國家新聞出版署的期刊評(píng)比中多次獲獎(jiǎng)。

半導(dǎo)體學(xué)報(bào)期刊榮譽(yù)：

《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》獲獎(jiǎng)情況：中科院優(yōu)秀期刊二等獎(jiǎng)（90）、全國優(yōu)秀期刊三等獎(jiǎng)（92）、全國優(yōu)秀期刊三等獎(jiǎng)（97）；該刊被以下數(shù)據(jù)庫收錄：CA化學(xué)文摘(美)(2009)、SA科學(xué)文摘(英)(2009)、CBST科學(xué)技術(shù)文獻(xiàn)速報(bào)(日)(2009)、Pж(AJ)文摘雜志(俄)(2009)、EI工程索引(美)(2009)、中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(CSCD—2008)。

半導(dǎo)體學(xué)報(bào)欄目設(shè)置：

《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》主要欄目有：研究快報(bào)、研究論文、研究簡(jiǎn)報(bào)、技術(shù)進(jìn)展等。

半導(dǎo)體學(xué)報(bào)訂閱方式：

ISSN：1674-4926，CN：11-5781/TN，地址：北京912信箱，郵政編碼：100083。

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半導(dǎo)體學(xué)報(bào)社投稿信息

1.文章標(biāo)題：一般不超過20個(gè)漢字，必要時(shí)加副標(biāo)題，并譯成英文。

2.作者姓名、工作單位：題目下面均應(yīng)寫作者姓名，姓名下面寫單位名稱（一、二級(jí)單位）、所在城市（不是省會(huì)的城市前必須加省名）、郵編，不同單位的多位作者應(yīng)以序號(hào)分別列出上述信息。

3.提要：用第三人稱寫法，不以“本文”、“作者”等作主語，應(yīng)是一篇能客觀反映文章核心觀點(diǎn)和創(chuàng)新觀點(diǎn)的表意明確、實(shí)在的小短文，切忌寫成背景交代或“中心思想”，100－200字為宜。

4.關(guān)鍵詞：3－5個(gè)，以分號(hào)相隔，選擇與文章核心內(nèi)容相關(guān)的具有獨(dú)立性的實(shí)在詞。

5.正文標(biāo)題：內(nèi)容應(yīng)簡(jiǎn)潔、明了，層次不宜過多，層次序號(hào)為一、（一）、1、（1），層次少時(shí)可依次選序號(hào)。

6.正文文字：一般不超過1萬字，正文用小4號(hào)宋體，通欄排版。

7.數(shù)字用法：執(zhí)行GB/T15835－1995《出版物上數(shù)字用法的規(guī)定》，凡公元紀(jì)年、年代、年、月、日、時(shí)刻、各種記數(shù)與計(jì)量等均采用阿拉伯?dāng)?shù)字；夏歷、清代及其以前紀(jì)年、星期幾、數(shù)字作為語素構(gòu)成的定型詞、詞組、慣用語、縮略語、臨近兩數(shù)字并列連用的概略語等用漢字?jǐn)?shù)字。

8.圖表：文中盡量少用圖表，必須使用時(shí)，應(yīng)簡(jiǎn)潔、明了，少占篇幅，圖表均采用黑色線條，分別用阿拉伯?dāng)?shù)字順序編號(hào)，應(yīng)有簡(jiǎn)明表題（表上）、圖題（圖下），表中數(shù)據(jù)應(yīng)注明資料來源。

9.注釋：注釋主要包括釋義性注釋和引文注釋，集中列于文末參考文獻(xiàn)之前。釋義性注釋是對(duì)論著正文中某一特定內(nèi)容的進(jìn)一步解釋或補(bǔ)充說明；引文注釋包括各種不宜列入文后參考文獻(xiàn)的引文和個(gè)別文后參考文獻(xiàn)的節(jié)略形式，其序號(hào)為①②③……。

10.參考文獻(xiàn)：參考文獻(xiàn)是作者撰寫論著時(shí)所引用的已公開發(fā)表的文獻(xiàn)書目，是對(duì)引文作者、作品、出處、版本等情況的說明，文中用序號(hào)標(biāo)出，詳細(xì)引文情況按順序排列文尾。以單字母方式標(biāo)識(shí)以下各種參考文獻(xiàn)類型：普通圖書[Ｍ]，會(huì)議論文[Ｃ]，報(bào)紙文章[Ｎ]，期刊文章[Ｊ]，學(xué)位論文[Ｄ]，報(bào)告[Ｒ]，標(biāo)準(zhǔn)[Ｓ]，專利〔Ｐ〕，匯編[Ｇ]，檔案[Ｂ]，古籍[Ｏ]，參考工具[Ｋ]，其他未說明文獻(xiàn)〔Z〕。格式與示例如下：

（1）圖書類格式：[序號(hào)]主要責(zé)任者.文獻(xiàn)題名:其他題名信息(任選)[文獻(xiàn)類型標(biāo)識(shí)].其他責(zé)任者(任選).出版地:出版者,出版年:起止頁碼.

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半導(dǎo)體學(xué)報(bào)社編輯部征稿雙柵肖特基源漏MOSFET的閾值電壓模型總劑量輻照加固的PDSOICMOS64k靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器庫侖場(chǎng)對(duì)量子點(diǎn)中極化子性質(zhì)的影響靜電感應(yīng)晶體管大電流特性的改善一種與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容的光電集成接收機(jī)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)一種采用斬波穩(wěn)零技術(shù)的16位,96kHz帶寬Σ-ΔAD轉(zhuǎn)換器雙勢(shì)壘量子阱薄膜力電耦合特性實(shí)驗(yàn)氮摻雜對(duì)單壁碳納米管的非平衡電子輸運(yùn)特性的影響采用銦束流保護(hù)下的調(diào)制中斷生長(zhǎng)技術(shù)改善(0001)GaN表面形貌微區(qū)中MBE共度生長(zhǎng)SiGe/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)的應(yīng)變和退火效應(yīng)InGaN混溶隙的計(jì)算襯底溫度和生長(zhǎng)速率對(duì)MBE自組織生長(zhǎng)InxGa1-xAs/GaAsQD的影響GaAs(100)熱退火表面的變角XPS定量分析Ge/Si(100)界面互擴(kuò)散的喇曼光譜硅、鍺和氬離子注入富硅二氧化硅的電致發(fā)光在硅襯底上用HFCVD法生長(zhǎng)的納米SiC薄膜及其室溫光致發(fā)光Si基熱氧化Si1-x-yGexCy薄膜的室溫光致發(fā)光特性弛豫SiGe外延層的UHV/CVD生長(zhǎng)用SIPOS-SiO2復(fù)合層對(duì)4H-SiCn+pp+結(jié)構(gòu)鈍化的分析中子輻照下的6H-SiCpn結(jié)電特性分析