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功能材料與器件學(xué)報

2021-05-19 14830 工業(yè)技術(shù)

功能材料與器件學(xué)報基礎(chǔ)信息:

《功能材料與器件學(xué)報》于1995年創(chuàng)刊,是由中國材料研究學(xué)會和中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所共同主辦的全國性學(xué)術(shù)期刊。主要刊登反映功能材料與器件領(lǐng)域中具有創(chuàng)新性的科研成果和應(yīng)用技術(shù)進展的論文、簡報、綜述和消息。來稿可以涉及功能材料的制備、加工、性能和應(yīng)用,以及功能器件的原理、工藝和性能等等,具體可以包括下列領(lǐng)域:微電子機械系統(tǒng)(MEMS)、微電子和光電子材料與器件、薄膜材料與器件、納米材料與器件、智能材料與器件、傳感器和傳感器材料、金剛石薄膜及應(yīng)用、磁性和磁光電材料、鐵電材料、生物材料、高溫超導(dǎo)材料。

功能材料與器件學(xué)報期刊榮譽:

《功能材料與器件學(xué)報》獲獎情況:美國Ei,美國CA,英國SA,俄羅斯PЖ的文獻源期刊、中國科技論文統(tǒng)計源期刊、中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫來源期刊、中國學(xué)術(shù)期刊綜合評價數(shù)據(jù)庫來源期刊;該刊被以下數(shù)據(jù)庫收錄:CA化學(xué)文摘(美)(2009)、CBST科學(xué)技術(shù)文獻速報(日)(2009)、Pж(AJ)文摘雜志(俄)(2009)、中國科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(CSCD—2008)。

功能材料與器件學(xué)報欄目設(shè)置:

《功能材料與器件學(xué)報》主要欄目:綜述、論文、簡報、進展。

功能材料與器件學(xué)報訂閱方式:

ISSN:1007-4252,CN:31-1708/TB,地址:上海市長寧路865號,郵政編碼:200050。

功能材料與器件學(xué)報社相關(guān)期刊

    沒有相關(guān)工業(yè)

    功能材料與器件學(xué)報社投稿信息

    1.文章標題:一般不超過300個漢字以內(nèi),必要時可以加副標題,最好并譯成英文。

    2.作者姓名、工作單位:題目下面均應(yīng)寫作者姓名,姓名下面寫單位名稱(一、二級單位)、所在城市(不是省會的城市前必須加省名)、郵編,不同單位的多位作者應(yīng)以序號分別列出上述信息。

    3.提要:用第三人稱寫法,不以“本文”、“作者”等作主語,100-200字為宜。

    4.關(guān)鍵詞:3-5個,以分號相隔。

    5.正文標題:內(nèi)容應(yīng)簡潔、明了,層次不宜過多,層次序號為一、(一)、1、(1),層次少時可依次選序號。

    6.正文文字:一般不超過1萬字,用A4紙打印,正文用5號宋體。

    7.數(shù)字用法:執(zhí)行GB/T15835-1995《出版物上數(shù)字用法的規(guī)定》,凡公元紀年、年代、年、月、日、時刻、各種記數(shù)與計量等均采用阿拉伯數(shù)字;夏歷、清代及其以前紀年、星期幾、數(shù)字作為語素構(gòu)成的定型詞、詞組、慣用語、縮略語、臨近兩數(shù)字并列連用的概略語等用漢字數(shù)字。

    8.圖表:文中盡量少用圖表,必須使用時,應(yīng)簡潔、明了,少占篇幅,圖表均采用黑色線條,分別用阿拉伯數(shù)字順序編號,應(yīng)有簡明表題(表上)、圖題(圖下),表中數(shù)字應(yīng)注明資料來源。

    9.注釋:是對文章某一特定內(nèi)容的解釋或說明,其序號為①②③……,注釋文字與標點應(yīng)與正文一致,注釋置于文尾,參考文獻之前。

    10.參考文獻:是對引文作者、作品、出處、版本等情況的說明,文中用序號標出,詳細引文情況按順序排列文尾。以單字母方式標識以下各種參考文獻類型:普通圖書[M],會議論文[C],報紙文章[N],期刊文章[J],學(xué)位論文[D],報告[R],標準[S],專利〔P〕,匯編[G],檔案[B],古籍[O],參考工具[K]。

    11.基金資助:獲得國家基金資助和省部級科研項目的文章請注明基金項目名稱及編號,按項目證明文字材料標示清楚.

    12.作者簡介:第一作者姓名(出生年月-),性別,民族(漢族可省略),籍貫,現(xiàn)供職單位全稱及職稱、學(xué)位,研究方向。

    13.其他:請勿一稿兩投,并請自留原稿,本刊概不退稿,投寄稿件后,等待審查。審查通過編輯部會通知您一般雜志社審核時間是1-3個月:如果要是到我中心給你論文發(fā)表請詳細看。

    功能材料與器件學(xué)報社編輯部征稿La(BO_3,PO_4):Ce,Tb,Gd的發(fā)光研究摻鉛CsI晶體中Pb2+聚集體的發(fā)光(英文)用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)提高SO_2傳感器的檢測速度等離子體處理三乙醇胺涂膜QCM傳感器對乙醛的質(zhì)量響應(yīng)特性研究Zn_2SnO_4-LiZnVO_4系厚膜濕敏元件的制備和性能研究納米硅/單晶硅異質(zhì)結(jié)二極管的電學(xué)特性Au量子點I-V特性的計算機模擬氧分壓對動態(tài)離子束輔助沉積合成的氧化鈦膜的影響等離子體充電效應(yīng)在薄氧化硅層產(chǎn)生陷阱密度的確定Ni80Fe20/Mo納米多層膜的互擴散γMn-Cu合金在(γ+α)亞穩(wěn)互溶區(qū)時效過程Spinodal分解的熱力學(xué)判據(jù)退火對玻璃包覆Fe69Co10Si8B13非晶微絲磁性能及力學(xué)性能的影響水熱法制備TiO_2-硅藻土復(fù)合材料及其光催化性能(英文)水熱合成法制備微納米MnO_2晶體不同形貌的電磁特性基于磁化機理的超磁致伸縮執(zhí)行器磁滯模型超薄SIMOX材料的Pseudo-MOSFET電學(xué)表征新型白光LED用SrMg_2(PO_4)_2單一基質(zhì)熒光粉新型Al_2O_3/BCB多層薄膜復(fù)合介質(zhì)材料的傳輸線損耗特性新型四元系鉍基焦綠石陶瓷的介電性能Nd2Fe14B/α-Fe交換耦合雙層薄膜磁性能YVO_4:Eu3+納米晶的沉淀合成及發(fā)光性質(zhì)Ni/Au、Pd/Au與p-AlGaN材料的接觸特性

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